Кремний карбиды (SiC) җылыту элементларыюгары температуралы сәнәгать кушымталары өчен бик мөһим, алар җылылык тотрыклылыгы, энергия нәтиҗәлелеге һәм озак хезмәт итү вакыты белән бәяләнә. Аларның формасы мич конструкцияләре һәм җылыту таләпләре белән туры килүгә турыдан-туры йогынты ясый. Стандарт профильләрдән тыш, шәхси көйләү махсуслаштырылган сәнәгать җайланмаларына шома интеграцияне тәэмин итә. Бу мәкаләдә сезгә оптималь югары температуралы җылыту чишелешен сайларга ярдәм итү өчен төп конфигурацияләр һәм сыгылмалы шәхси көйләү мөмкинлекләре сурәтләнә.
Кремний карбид җылыту элементларының төп формалары
SiC җылыту элементлары берничә стандарт формада җитештерелә, һәрберсе махсус эш сценарийлары өчен эшләнгән:
1. Җепле SiC таякчыклары:Иң киң кулланыла торган төр, ышанычлы урнаштыру өчен резьбалы очлары белән. Туры сызыклы конструкция җылылыкның тигез бүленешен тәэмин итә, туннель мичләре, роликлы мичләр һәм җылылык эшкәртү мичләре өчен яраклы. Номиналь диаметр: 12–60 мм, кулланылышлы озынлык 1800 мм га кадәр, максималь эш температурасы 1625℃.
2. U-формасындагы SiC элементлары:Урнаштыру урынын экономияләү һәм нурланыш нәтиҗәлелеген арттыру өчен U-формасындагы конфигурациядә бөгелгән. Гадәттә тартмалы мичләрдә, муфель мичләрендә һәм лаборатория мичләрендә вертикаль рәвештә урнаштырыла. Бөгелү радиусы: 50–200 мм, төрле камера эчке үлчәмнәренә җайлаштырыла.
3. W-формасындагы SiC элементлары:Өч бөгелгән W-профиль белән җиһазландырылган, ул тиз җылыту һәм югары җылылык интенсивлыгы өчен зуррак җылыту өслеге бирә. Пыяла эретү һәм керамик блендерлау мичләрен кертеп, зур күләмле мичләрдә кулланыла. Камера температурасын тотрыклы тоту өчен гомуми озынлыгы 3000 мм га кадәр.
4. Мылтык тибындагы SiC таякчыклары:Металл компонентларын өлешчә җылылык белән эшкәртү һәм кечкенә мичләрдә нокталы җылыту кебек локальләштерелгән концентрацияләнгән җылыту өчен мылтык формасындагы профиль һәм киңәйтелгән кайнар кисем белән эшләнгән. Җылылык югалтуларын минимальләштерә, максималь эш температурасы 1600℃.
5. Ишек тибындагы SiC элементлары:Ишек рамлы конструкциядә эшләнгән, киң, тигез җылыту зоналары тәкъдим итә. Тартмалы мичләр һәм чокырлы мичләр өчен бик яраклы, катлаулы җайланмаларсыз гади урнаштыру мөмкинлеге бар, электрон компонентларны партияләп җылытуда киң кулланыла.
6. Туры почмаклы SiC таякчыклары:Кечкенә эксперименталь мичләрдә профильле камералар һәм почмак зоналары кебек чикләнгән киңлекләр һәм почмаклы урнаштыру схемалары өчен 90° бөгелү белән эшләнгән. Интегральләштерелгән пломбалау конструкциянең тотрыклылыгын тәэмин итә, номиналь диаметры 10–40 мм.
7. Тупас очлы SiC таякчыклары:Электр терминалларын артык кызу зыяныннан саклый торган, түбәнрәк каршылыклы һәм яхшыртылган җылылык таратучан зурайтылган салкын очлар белән җиһазландырылган. Озак вакыт эшли торган югары температуралы мичләр, шул исәптән керамик роликлы мичләр һәм пыяла җылыту мичләре өчен идеаль, хезмәт итү вакыты стандарт төрләргә караганда 20% тан артыкка озаграк.
8. Бердәм диаметрлы SiC таякчыклары:Бөтен озынлык буенча тотрыклы кисемтә диаметры, тулы озынлыктагы тотрыклы җылытуны тәэмин итә. Лаборатория җылыту һәм ярымүткәргеч материал синтезы мичләрен кертеп, төгәл куллану өчен өстенлекле. Югары бердәмлек өчен диаметр чыдамлыгы ±0,2 мм белән контрольдә тотыла.
Сыгылмалы көйләү мөмкинлекләре
Без уникаль эксплуатация таләпләренә туры килү өчен тулы диапазонлы көйләүләр тәкъдим итәбез, үлчәмле көйләүләрне һәм махсус профильле дизайннарны үз эченә алабыз:
1. Форманы һәм үлчәмне көйләү:L-формасындагы һәм кәкре элементларны үз эченә алган, номиналь диаметрын, нәтиҗәле җылыту озынлыгын һәм камераның урнашуына туры китереп бөкләнү радиусын көйләргә мөмкин булган стандарт булмаган профильләр. Мисалларга 3000 мм дан артык озынлыктагы U-формасындагы элементлар һәм лаборатория масштабындагы җиһазлар өчен компакт элементлар керә.
2. Көч һәм температураны көйләү:Кисемтә мәйданын һәм электр каршылыгын үзгәртү юлы белән 5 кВттан 80 кВтка кадәр куәтне көйләргә мөмкин. Экстремаль мохит өчен температура дәрәҗәләренә 1625℃ кадәр стандарт һәм 1800℃ кадәр югары температура дәрәҗәләре керә.
3. Тоташтыру һәм урнаштыруны көйләү:Оптимальләштерелгән терминал стильләре, шул исәптән резьбалы, фланецлы һәм кыскычлы тоташтырулар, шулай ук махсус җайланмалар һәм керамик изоляторлар. Мичнең гамәлдәге компонентлары белән туры килү өчен M10 һәм M30 арасында көйләнергә мөмкин булган резьба адымы.
4. Материал һәм каплауны көйләү:Коррозик атмосфера өчен югары чисталыклы SiC матрицасы һәм CVD SiC капламасы; җылылык шокларына чыдамлыкны арттыру өчен кремний нитриды белән бәйләнгән SiC кулланыла.
Безнең барлык SiC җылыту элементлары ASTM B777-15 һәм IEC 60294-2018 стандартларына туры килә, катгый сыйфат контроле белән тәэмин ителә. Ышанычлы, югары нәтиҗәле югары температуралы җылыту чишелешләре өчен техник таләпләрегезне тикшерер өчен бүген үк безнең белән элемтәгә керегез.
Бастырылган вакыты: 2026 елның 2 феврале
